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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2N3507AU4
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2N3507AU4

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N3507AU4
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NPN TRANSISTOR
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    2N3507AU4.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 250mA, 2.5A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    U4
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/349
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    3-SMD, No Lead
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 1W Surface Mount U4
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 1.5A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3A

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