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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > BDV64B
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BDV64B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BDV64B
  • Costruttore / Marca
    Central Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    POWER TRANSISTOR PNP TO218
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    BDV64B.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    -
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-218
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    125W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-218-3
  • Altri nomi
    BDV64BCS
  • temperatura di esercizio
    -
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    60MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 12A 60MHz 125W Through Hole TO-218
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 5A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    12A

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Descrizione: TRANS NPN DARL 60V 12A

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Descrizione: TRANS PNP DARL 100V 10A TO-218

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