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347866Immagine CY14V104NA-BA45XI.Cypress Semiconductor

CY14V104NA-BA45XI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY14V104NA-BA45XI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 4M PARALLEL 48FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CY14V104NA-BA45XI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    45ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    48-FBGA (6x10)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    48-TFBGA
  • Altri nomi
    CY14V104NABA45XI
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 45ns 48-FBGA (6x10)
  • Numero di parte base
    CY14V104
  • Tempo di accesso
    45ns

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