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2071990Immagine CY14V116N-BZ30XIT.Cypress Semiconductor

CY14V116N-BZ30XIT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY14V116N-BZ30XIT
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CY14V116N-BZ30XIT.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    30ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-FBGA (15x17)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    165-LBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    16Mb (1M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    NVSRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    9 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 16Mb (1M x 16) Parallel 30ns 165-FBGA (15x17)
  • Tempo di accesso
    30ns

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Descrizione: IC NVSRAM 16M PARALLEL 165FBGA

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