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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY7C1021B-12VC
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3602959Immagine CY7C1021B-12VC.Cypress Semiconductor

CY7C1021B-12VC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C1021B-12VC
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    CY7C1021B-12VC.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    12ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    SRAM - Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    44-SOJ
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    428-1009
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Mb (64K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (64K x 16) Parallel 12ns 44-SOJ
  • Numero di parte base
    CY7C1021
  • Tempo di accesso
    12ns

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