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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY7C109D-10VXI
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1601240Immagine CY7C109D-10VXI.Cypress Semiconductor

CY7C109D-10VXI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C109D-10VXI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CY7C109D-10VXI.pdf
  • Modello ECAD
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    10ns
  • Tensione di alimentazione -
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Tecnologia
    SRAM - Asynchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    32-SOJ
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
  • Altri nomi
    428-2010-5
    CY7C109D10VXI
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    1Mb (128K x 8)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Asynchronous Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 10ns 32-SOJ
  • Numero di parte base
    CY7C109
  • Tempo di accesso
    10ns

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Produttori: Cypress Semiconductor
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CY7C109D-10ZXIT

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Descrizione: IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ

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Produttori: Cypress Semiconductor
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Produttori: Cypress Semiconductor
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Produttori: Cypress Semiconductor
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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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