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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY7C1315TV18-167BZC
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3090707Immagine CY7C1315TV18-167BZC.Cypress Semiconductor

CY7C1315TV18-167BZC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C1315TV18-167BZC
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous, QDR II
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    165-LBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 167MHz 165-FBGA (13x15)
  • Frequenza dell'orologio
    167MHz
  • Numero di parte base
    CY7C1315
CY7C1315TV18-200BZC

CY7C1315TV18-200BZC

Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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CY7C1315KV18-250BZXC

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CY7C1315KV18-250BZI

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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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CY7C1315KV18-250BZIT

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CY7C1318BV18-278BZC

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CY7C1315KV18-333BZXC

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CY7C1318CV18-200BZXC

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CY7C1315TV18-250BZC

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CY7C1318BV18-250BZC

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CY7C1315KV18-300BZXC

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Descrizione: IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA

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CY7C1315KV18-250BZXI

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CY7C1318BV18-200BZI

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CY7C1315KV18-250BZCT

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