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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY7C1423BV18-250BZC
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6277684Immagine CY7C1423BV18-250BZC.Cypress Semiconductor

CY7C1423BV18-250BZC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C1423BV18-250BZC
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous, DDR II
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-FBGA (15x17)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    165-LBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    36Mb (2M x 18)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb (2M x 18) Parallel 250MHz 165-FBGA (15x17)
  • Frequenza dell'orologio
    250MHz
  • Numero di parte base
    CY7C1423
CY7C1423KV18-333BZXC

CY7C1423KV18-333BZXC

Descrizione: IC SRAM 36M PARALLEL 165FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
CY7C1420SV18-250BZC

CY7C1420SV18-250BZC

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Produttori: Cypress Semiconductor
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CY7C1423SV18-250BZC

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Produttori: Cypress Semiconductor
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CY7C1423KV18-250BZXC

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Produttori: Cypress Semiconductor
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CY7C1420UV18-300BZXC

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CY7C1423AV18-267BZXCT

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CY7C1423KV18-300BZXC

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CY7C1423JV18-267BZXCT

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CY7C1420LV18-250BZXC

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CY7C1420SV18-250BZXI

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CY7C1423KV18-300BZC

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CY7C1423AV18-267BZXC

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CY7C1423KV18-300BZXCT

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CY7C1423KV18-250BZC

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CY7C1423JV18-250BZXC

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CY7C1420KV18-333BZXI

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