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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > CY7C21701KV18-400BZXC
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5109467Immagine CY7C21701KV18-400BZXC.Cypress Semiconductor

CY7C21701KV18-400BZXC

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CY7C21701KV18-400BZXC
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CY7C21701KV18-400BZXC.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Synchronous, DDR II+
  • Contenitore dispositivo fornitore
    165-FBGA (13x15)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    165-LBGA
  • temperatura di esercizio
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    18Mb (512K x 36)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Synchronous, DDR II+ Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 400MHz 165-FBGA (13x15)
  • Frequenza dell'orologio
    400MHz
  • Numero di parte base
    CY7C21701

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