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1592078Immagine CYD18S18V18-167BBAXI.Cypress Semiconductor

CYD18S18V18-167BBAXI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CYD18S18V18-167BBAXI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    CYD18S18V18-167BBAXI.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    -
  • Tensione di alimentazione -
    1.42 V ~ 1.58 V, 1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • Contenitore dispositivo fornitore
    256-FBGA (17x17)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    256-LBGA
  • Altri nomi
    CYD18S18V18167BBAXI
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    18Mb (1M x 18)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 167MHz 4ns 256-FBGA (17x17)
  • Frequenza dell'orologio
    167MHz
  • Numero di parte base
    CYD18S18
  • Tempo di accesso
    4ns

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