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6449202Immagine CYDM256B16-40BVXI.Cypress Semiconductor

CYDM256B16-40BVXI

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    CYDM256B16-40BVXI
  • Costruttore / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    40ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.7 V ~ 1.9 V, 2.4 V ~ 2.6 V, 3 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM - Dual Port, MoBL
  • Contenitore dispositivo fornitore
    100-VFBGA (6x6)
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tray
  • Contenitore / involucro
    100-VFBGA
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    256Kb (16K x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM - Dual Port, MoBL Memory IC 256Kb (16K x 16) Parallel 40ns 100-VFBGA (6x6)
  • Numero di parte base
    CYDM
  • Tempo di accesso
    40ns

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Produttori: Cypress Semiconductor Corp
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Produttori: Cypress Semiconductor
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Produttori: Cypress Semiconductor
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Produttori: Cypress Semiconductor
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Produttori: Cypress Semiconductor
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Produttori: Cypress Semiconductor
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