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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > S29GL512S11DHIV23
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6548Immagine S29GL512S11DHIV23.Cypress Semiconductor

S29GL512S11DHIV23

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    S29GL512S11DHIV23
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    60ns
  • Tensione di alimentazione -
    1.65 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    FLASH - NOR
  • Contenitore dispositivo fornitore
    64-FBGA (9x9)
  • Serie
    GL-S
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    64-LBGA
  • Altri nomi
    428-4345-2
    S29GL512S11DHIV23-ND
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo di memoria
    Non-Volatile
  • Dimensione della memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    FLASH
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 110ns 64-FBGA (9x9)
  • Tempo di accesso
    110ns
S29GL512S11DHIV13

S29GL512S11DHIV13

Descrizione: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11DHB010

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Descrizione: IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA

Produttori: Cypress Semiconductor
In magazzino
S29GL512S11FAIV13

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Produttori: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11DHSS10

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Produttori: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11DHI010

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S29GL512S11DHI023

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Produttori: Cypress Semiconductor
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Produttori: Cypress Semiconductor
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S29GL512S11DHV013

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S29GL512S11DHI020

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S29GL512S11FAIV23

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