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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > 2DB1132P-13
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2582501Immagine 2DB1132P-13.Diodes Incorporated

2DB1132P-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2DB1132P-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2DB1132P-13.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    32V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-89-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-243AA
  • Altri nomi
    2DB1132P-13-ND
    2DB1132P-13DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    190MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 1A 190MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    82 @ 100mA, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A
  • Numero di parte base
    2DB1132

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