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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > 2N7002DWQ-7-F
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6639509Immagine 2N7002DWQ-7-F.Diodes Incorporated

2N7002DWQ-7-F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N7002DWQ-7-F
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N7002DWQ-7-F.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7.5 Ohm @ 50mA, 5V
  • Potenza - Max
    310mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    2N7002DWQ-7-FDIDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 230mA 310mW Surface Mount SOT-363
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    230mA

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Pagamento
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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