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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > 2N7002VA-7-F
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Italia
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2440200Immagine 2N7002VA-7-F.Diodes Incorporated

2N7002VA-7-F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2N7002VA-7-F
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2N7002VA-7-F.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-563
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    7.5 Ohm @ 50mA, 5V
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-563, SOT-666
  • Altri nomi
    1034-2N7002VA-FDITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    50pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 280mA 150mW Surface Mount SOT-563
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    280mA

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563

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