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6991977Immagine DDTD113EC-7-F.Diodes Incorporated

DDTD113EC-7-F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DDTD113EC-7-F
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DDTD113EC-7-F.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    DDTD113EC-7-FDICT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    200MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    33 @ 50mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA

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