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1962082Immagine DMC1229UFDB-13.Diodes Incorporated

DMC1229UFDB-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMC1229UFDB-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 12V U-DFN2020-6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMC1229UFDB-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    29 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.4W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    DMC1229UFDB-13DI
    DMC1229UFDB-13DI-ND
    DMC1229UFDB-13DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    914pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    19.6nC @ 8V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 12V 5.6A, 3.8A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.6A, 3.8A

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