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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > DMC6040SSDQ-13
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5600760Immagine DMC6040SSDQ-13.Diodes Incorporated

DMC6040SSDQ-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMC6040SSDQ-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 60V 5.1A 8SO
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMC6040SSDQ-13.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    40 mOhm @ 8A, 10V
  • Potenza - Max
    1.24W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    28 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1130pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    20.8nC @ 30V
  • Tipo FET
    N and P-Channel Complementary
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel Complementary 60V 5.1A (Ta) 1.24W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.1A (Ta)

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