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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMG3N60SCT
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DMG3N60SCT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMG3N60SCT
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMG3N60SCT.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    104W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Produttore tempi di consegna standard
    22 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    354pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    12.6nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 3.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.3A (Tc)

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