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2844776Immagine DMG6602SVT-7.Diodes Incorporated

DMG6602SVT-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMG6602SVT-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMG6602SVT-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSOT-23-6
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    60 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Potenza - Max
    840mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Altri nomi
    DMG6602SVT-7DIDKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23-6
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.4A, 2.8A
  • Numero di parte base
    DMG6602

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