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1331069Immagine DMHC3025LSDQ-13.Diodes Incorporated

DMHC3025LSDQ-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMHC3025LSDQ-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMHC3025LSDQ-13.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    25 mOhm @ 5A, 10V
  • Potenza - Max
    1.5W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    DMHC3025LSDQ-13DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    590pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    11.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 6A, 4.2A 1.5W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    6A, 4.2A

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