Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMJ70H1D5SV3
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
3861059

DMJ70H1D5SV3

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
75+
$0.998
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMJ70H1D5SV3
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMJ70H1D5SV3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-251
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 1A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    78W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    316pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    9.8nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    700V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 700V 5A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-251
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5A (Tc)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "DMJ70H1D5SV3".
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
IPB65R125C7ATMA1

IPB65R125C7ATMA1

Descrizione: MOSFET N-CH TO263-3

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
DMJ70H1D3SI3

DMJ70H1D3SI3

Descrizione: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
IXFH10N80P

IXFH10N80P

Descrizione: MOSFET N-CH 800V 10A TO-247

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
IRF6662TRPBF

IRF6662TRPBF

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Descrizione: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Descrizione: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
NDD60N550U1T4G

NDD60N550U1T4G

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
SI1021R-T1-E3

SI1021R-T1-E3

Descrizione: MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
IRF5305LPBF

IRF5305LPBF

Descrizione: MOSFET P-CH 55V 31A TO-262

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Descrizione: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Descrizione: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Produttori: Skyworks Solutions, Inc.
In magazzino
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Descrizione: MOSFET N-CH TO251

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
ZXMN3A01FTA

ZXMN3A01FTA

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
IXTP98N075T

IXTP98N075T

Descrizione: MOSFET N-CH 75V 98A TO-220

Produttori: IXYS Corporation
In magazzino
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Descrizione: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Descrizione: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.