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4260528Immagine DMJ70H1D3SI3.Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SI3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMJ70H1D3SI3
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMJ70H1D3SI3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-251
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    41W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Altri nomi
    DMJ70H1D3SI3-ND
    DMJ70H1D3SI3DI
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    7 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    700V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

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