Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMN1053UCP4-7
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1931713

DMN1053UCP4-7

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
3000+
$0.169
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN1053UCP4-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN1053UCP4-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    X3-DSN0808-4
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    42 mOhm @ 1A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.34W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    4-XFBGA, CSPBGA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    908pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 12V 2.7A (Ta) 1.34W Surface Mount X3-DSN0808-4
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

AMD lancia la costruzione della seconda fase del Bangalore ...

26/11/2024

La scheda grafica Nvidia RTX 5090 ha un'area GPU di 744...

25/11/2024

Antropico riceve un altro investimento da 4 miliardi di dol...

23/11/2024

Semi: aumento delle vendite di IC del 12% nel terzo tri...

22/11/2024

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "DMN1053UCP4-7".
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Descrizione: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Descrizione: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.