Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > DMN1029UFDB-7
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
2628014Immagine DMN1029UFDB-7.Diodes Incorporated

DMN1029UFDB-7

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$0.56
10+
$0.44
100+
$0.302
500+
$0.207
1000+
$0.155
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN1029UFDB-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN1029UFDB-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    29 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    1.4W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    DMN1029UFDB-7DICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    914pF @ 6V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    19.6nC @ 8V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.6A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Il microchip annuncia 500 licenziamenti, con costi di ristr...

04/12/2024

Quanta: la domanda di intelligenza artificiale continua ad ...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

Samsung riduce in modo significativo l'utilizzo fotores...

02/12/2024

Vishay investirà £ 51 milioni nel wafer NWF acquisito Fab

29/11/2024

Minaccia tariffaria di Trump, Nvidia, fornitori di Intel RI...

28/11/2024

Intel riceverà $ 7,86 miliardi di sussidi ai sensi della U...

27/11/2024

AMD lancia la costruzione della seconda fase del Bangalore ...

26/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "DMN1029UFDB-7".
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Descrizione: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

Descrizione: MOSFET N-CH30V SC-59

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Descrizione: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Descrizione: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Descrizione: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN1008UFDF-13

DMN1008UFDF-13

Descrizione: MOSFET N-CH30V SC-59

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.