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2818830Immagine DMN13H750S-13.Diodes Incorporated

DMN13H750S-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN13H750S-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 130V 1A SOT23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN13H750S-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    750 mOhm @ 2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    770mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    DMN13H750S-13DI
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    231pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.6nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    130V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 130V 1A (Ta) 770mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

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