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2714716Immagine DMN53D0LDW-13.Diodes Incorporated

DMN53D0LDW-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN53D0LDW-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN53D0LDW-13.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-363
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.6 Ohm @ 500mA, 10V
  • Potenza - Max
    310mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    DMN53D0LDW-13DI
    DMN53D0LDW-13DI-ND
    DMN53D0LDW-13DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    46pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    50V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 360mA 310mW Surface Mount SOT-363
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    360mA

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Descrizione: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

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Descrizione: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

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