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3423864Immagine DMN61D8LVTQ-7.Diodes Incorporated

DMN61D8LVTQ-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN61D8LVTQ-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN61D8LVTQ-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TSOT-26
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    1.8 Ohm @ 150mA, 5V
  • Potenza - Max
    820mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Altri nomi
    DMN61D8LVTQ-7DICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    24 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    12.9pF @ 12V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-26
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    630mA

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