Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMN63D8LW-7
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
7060741Immagine DMN63D8LW-7.Diodes Incorporated

DMN63D8LW-7

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
3000+
$0.045
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN63D8LW-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN63D8LW-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-323
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 250mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    300mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-70, SOT-323
  • Altri nomi
    DMN63D8LW-7DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    23.2pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    0.9nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 380mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SOT-323
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    380mA (Ta)

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "DMN63D8LW-7".
DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN65D8LDWQ-13

DMN65D8LDWQ-13

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

Descrizione: MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN65D8LQ-7

DMN65D8LQ-7

Descrizione: MOSFET N-CH 60V SOT23

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN63D8LDW-7

DMN63D8LDW-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13

Descrizione: MOSFET N-CH 60V SOT23

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN66D0LDW-7

DMN66D0LDW-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN65D8LFB-7B

DMN65D8LFB-7B

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN65D8LFB-7

DMN65D8LFB-7

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN63D1LW-13

DMN63D1LW-13

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN63D8L-13

DMN63D8L-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 180MA SOT363

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN65D8L-7

DMN65D8L-7

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN65D8LDW-7

DMN65D8LDW-7

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN63D8L-7

DMN63D8L-7

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

Descrizione: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT323

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.