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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMN65D8LFB-7B
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6886935Immagine DMN65D8LFB-7B.Diodes Incorporated

DMN65D8LFB-7B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMN65D8LFB-7B
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMN65D8LFB-7B.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    X1-DFN1006-3
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    3 Ohm @ 115mA, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    430mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-UFDFN
  • Altri nomi
    DMN65D8LFB-7BDITR
    DMN65D8LFB7B
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    25pF @ 25V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 60V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    260mA (Ta)

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