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DMNH10H028SCT

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMNH10H028SCT
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET BVDSS: 61V 100V,TO220-3,T
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMNH10H028SCT.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    28 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.8W (Ta)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • Altri nomi
    DMNH10H028SCTDI-5
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1942pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    31.9nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 60A (Tc) 2.8W (Ta) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

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