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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMP6185SEQ-13
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DMP6185SEQ-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMP6185SEQ-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMP6185SEQ-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    150 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.2W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    708pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 60V 3A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

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