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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMPH1006UPSQ-13
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6886032Immagine DMPH1006UPSQ-13.Diodes Incorporated

DMPH1006UPSQ-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMPH1006UPSQ-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 12V 80A POWERDI5060
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMPH1006UPSQ-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerDI5060-8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    6 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    3.2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    DMPH1006UPSQ-13-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    6334pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    124nC @ 8V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    12V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 12V 80A (Tc) 3.2W Surface Mount PowerDI5060-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

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Descrizione: MOSFET P-CH 30V 60A POWERDI5060

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Produttori: Panduit
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Descrizione: CONN QC RCPT 18-22AWG 0.110

Produttori: Panduit
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Descrizione: MOSFET P-CHANNEL 30V 50A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
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Produttori: Diodes Incorporated
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