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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMT10H010SPS-13
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3436093Immagine DMT10H010SPS-13.Diodes Incorporated

DMT10H010SPS-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMT10H010SPS-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMT10H010SPS-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerDI5060-8
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    8.8 mOhm @ 13A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.2W (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerTDFN
  • Altri nomi
    DMT10H010SPS-13DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4.468nF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    56.4nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 10.7A (Ta), 113A (Tc) 1.2W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    10.7A (Ta), 113A (Tc)

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