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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMT10H015LSS-13
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2125219Immagine DMT10H015LSS-13.Diodes Incorporated

DMT10H015LSS-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMT10H015LSS-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 8.3A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMT10H015LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    16 mOhm @ 20A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.2W (Ta)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    DMT10H015LSS-13DICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    32 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 8.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    8.3A (Ta)

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