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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > DMT3020LFDB-13
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5606530Immagine DMT3020LFDB-13.Diodes Incorporated

DMT3020LFDB-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMT3020LFDB-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMT3020LFDB-13.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    U-DFN2020-6 (Type B)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    20 mOhm @ 9A, 10V
  • Potenza - Max
    700mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    393pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.7A (Ta) 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    7.7A (Ta)

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