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6181835Immagine DMT5015LFDF-7.Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMT5015LFDF-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMT5015LFDF-7.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-UDFN2020 (2x2)
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    15 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    820mW (Ta)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-UDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    DMT5015LFDF-7DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    902.7pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    50V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 50V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN2020 (2x2)
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9.1A (Ta)

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Descrizione: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

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Descrizione: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

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