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DMT6018LDR-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMT6018LDR-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DMT6018LDR-13.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    3V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    V-DFN3030-8
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    17 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Potenza - Max
    1.9W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    869pF @ 30V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Standard
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 11.4A (Ta) 1.9W Surface Mount V-DFN3030-8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    11.4A (Ta)

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