Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > DMTH10H010LCTB-13
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
4359105

DMTH10H010LCTB-13

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
800+
$0.909
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    DMTH10H010LCTB-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Vgs (th) (max) a Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    9.5 mOhm @ 13A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    2.4W (Ta), 166W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2592pF @ 50V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    53.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 108A (Tc) 2.4W (Ta), 166W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    108A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

13/01/2025

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

31/12/2024

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

23/12/2024

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

12/12/2024

Il microchip annuncia 500 licenziamenti, con costi di ristr...

04/12/2024

Quanta: la domanda di intelligenza artificiale continua ad ...

03/12/2024

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

02/12/2024

Samsung riduce in modo significativo l'utilizzo fotores...

02/12/2024

Vishay investirà £ 51 milioni nel wafer NWF acquisito Fab

29/11/2024

Minaccia tariffaria di Trump, Nvidia, fornitori di Intel RI...

28/11/2024

Intel riceverà $ 7,86 miliardi di sussidi ai sensi della U...

27/11/2024

AMD lancia la costruzione della seconda fase del Bangalore ...

26/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "DMTH10H010LCTB-13".
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Descrizione: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Descrizione: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Descrizione: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Produttori: Cornell Dubilier Electronics
In magazzino
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Descrizione: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Descrizione: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Descrizione: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Descrizione: MOSFET 100V 108A TO220AB

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Descrizione: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Produttori: Cornell Dubilier Electronics
In magazzino
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Descrizione: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Descrizione: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Descrizione: MOSFET NCH 100V TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Descrizione: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Descrizione: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Descrizione: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Descrizione: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.