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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > DN350T05-7
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355861Immagine DN350T05-7.Diodes Incorporated

DN350T05-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DN350T05-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 350V 0.5A SOT23-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DN350T05-7.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    350V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1V @ 5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    DN350T05DICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    50MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 500mA 50MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 50mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    50nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
  • Numero di parte base
    DN350T05

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