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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > DNBT8105-7
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744093Immagine DNBT8105-7.Diodes Incorporated

DNBT8105-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DNBT8105-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DNBT8105-7.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    500mV @ 100mA, 1A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    600mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    DNBT8105DICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    150MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 150MHz 600mW Surface Mount SOT-23-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 500mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A
  • Numero di parte base
    DNBT8105

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