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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > DP0150BLP4-7
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6961933Immagine DP0150BLP4-7.Diodes Incorporated

DP0150BLP4-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DP0150BLP4-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DP0150BLP4-7.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 10mA, 100mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    X2-DFN1006-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    450mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-XFDFN
  • Altri nomi
    DP0150BLP4-7DI
    DP0150BLP4-7DI-ND
    DP0150BLP4-7DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    80MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 80MHz 450mW Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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Descrizione: RF DIPLEXER 0603 6 PC PAD

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Descrizione: RF DIPLEXER 0603

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