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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > DSS2515M-7B
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456015Immagine DSS2515M-7B.Diodes Incorporated

DSS2515M-7B

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DSS2515M-7B
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 15V 0.5A DFN1006-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DSS2515M-7B.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    15V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    250mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    3-UFDFN
  • Altri nomi
    DSS2515M-7BDICT
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 500mA 250MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006 (1.0x0.6)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    150 @ 100mA, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
  • Numero di parte base
    DSS2515M

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Pagamento
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