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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > DSS4160V-7
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4232699Immagine DSS4160V-7.Diodes Incorporated

DSS4160V-7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DSS4160V-7
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 1A SOT-563
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DSS4160V-7.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 100mA, 1A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-563
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    600mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-563, SOT-666
  • Altri nomi
    DSS4160V7
    DSS4160VDITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    16 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    150MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 150MHz 600mW Surface Mount SOT-563
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 500mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    1A
  • Numero di parte base
    DSS4160

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