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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > DSS60601MZ4-13
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5339088Immagine DSS60601MZ4-13.Diodes Incorporated

DSS60601MZ4-13

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DSS60601MZ4-13
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 60V 6A SOT-223
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DSS60601MZ4-13.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    60V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 600mA, 6A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-223
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.2W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-261-4, TO-261AA
  • Altri nomi
    DSS60601MZ413
    DSS60601MZ4DITR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    100MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 6A 100MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    120 @ 1A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    6A
  • Numero di parte base
    DSS60601

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Descrizione: TOP INSERTION BRIDGE 3 POLE FOR

Produttori: Bussmann (Eaton)
In magazzino
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