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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > DVRN6056-7-F
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Italia
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1342546Immagine DVRN6056-7-F.Diodes Incorporated

DVRN6056-7-F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    DVRN6056-7-F
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 40V 0.6A SOT-26
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    DVRN6056-7-F.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    40V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    750mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    NPN + Zener Diode (Isolated)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-26
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    250MHz
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN + Zener Diode (Isolated) 40V 600mA 250MHz 300mW Surface Mount SOT-26
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 1V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    -
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    600mA

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Descrizione: GENERAL-PURPOSE TRANSISTOR

Produttori: Nexperia
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Descrizione: IXZ631DF18N50 DEV BOARD

Produttori: IXYS RF
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