Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > US1B-13-F
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
7035126Immagine US1B-13-F.Diodes Incorporated

US1B-13-F

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$0.46
10+
$0.346
100+
$0.215
500+
$0.147
1000+
$0.113
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    US1B-13-F
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 100V 1A SMA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    US1B-13-F.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    100V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMA
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    50ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AC, SMA
  • Altri nomi
    US1B-FDICT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 100V 1A Surface Mount SMA
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 100V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    20pF @ 4V, 1MHz
  • Numero di parte base
    US1B

È stato riferito che la kioxia riceverà l'approvazion...

21/11/2024

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "US1B-13-F".
US1B/1

US1B/1

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1AHE3/61T

US1AHE3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1BHE3/5AT

US1BHE3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1AHE3_A/H

US1AHE3_A/H

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1B-M3/61T

US1B-M3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1BHE3_A/H

US1BHE3_A/H

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1AHM2G

US1AHM2G

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
US1BHE3/61T

US1BHE3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1B-E3/5AT

US1B-E3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1B R3G

US1B R3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
US1B-E3/61T

US1B-E3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1AHE3/5AT

US1AHE3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1BFA

US1BFA

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
US1B-TP

US1B-TP

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
US1B-M3/5AT

US1B-M3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1AHE3_A/I

US1AHE3_A/I

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1B M2G

US1B M2G

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
US1AFA

US1AFA

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FA

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
US1AHR3G

US1AHR3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
US1B-13

US1B-13

Descrizione: DIODE GEN PURP 100V 1A SMA

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.