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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > US1J-13-F
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4430448Immagine US1J-13-F.Diodes Incorporated

US1J-13-F

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    US1J-13-F
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 1A SMA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMA
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    75ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AC, SMA
  • Altri nomi
    US1J-FDICT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount SMA
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Numero di parte base
    US1J
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
US1GHM2G

US1GHM2G

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
US1GHR3G

US1GHR3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
US1GHE3/61T

US1GHE3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
US1JDF-13

US1JDF-13

Descrizione: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
US1GWF-7

US1GWF-7

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
US1J-TP

US1J-TP

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
US1JFA

US1JFA

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
US1J R3G

US1J R3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
US1J-13

US1J-13

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
US1J M2G

US1J M2G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
US1JE-TP

US1JE-TP

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
US1J/1

US1J/1

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
In magazzino
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
US1GHE3/5AT

US1GHE3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino

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