Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > US1J-E3/61T
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
242433Immagine US1J-E3/61T.Electro-Films (EFI) / Vishay

US1J-E3/61T

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

In magazzino
1+
$0.48
10+
$0.361
100+
$0.225
500+
$0.154
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    US1J-E3/61T
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.US1J-E3/61T.pdf
    2.US1J-E3/61T.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    600V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-214AC (SMA)
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    75ns
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    DO-214AC, SMA
  • Altri nomi
    US1J-E3/61TGICT
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    10µA @ 600V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Numero di parte base
    US1J

L'ultima piattaforma ottica al silicio di Tower Semicon...

20/11/2024

L'industria si riprende lentamente.Il fornitore epitass...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Fornitore: un gran numero di componenti GPU della serie RTX...

18/11/2024

Il valore di produzione di Taiwan, China Semiconductor aume...

17/11/2024

Espansione della produzione di pannelli OLED, LG Display in...

15/11/2024

Amazon aumenta gli sforzi per creare chip AI personalizzati...

14/11/2024

L'utile netto Q3 di Pegatron era di $ 4,296 miliardi, u...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

La Corea del Sud prevede di emanare il Chip Act per contras...

13/11/2024

What is an embedded system?

12/11/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "US1J-E3/61T".
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1J-13

US1J-13

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
US1GWF-7

US1GWF-7

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
US1GHM2G

US1GHM2G

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
US1GHR3G

US1GHR3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
US1GHE3_A/H

US1GHE3_A/H

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1J/1

US1J/1

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Vishay Semiconductor Diodes Division
In magazzino
RFQ
US1GHE3_A/I

US1GHE3_A/I

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
US1JFA

US1JFA

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Descrizione: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Produttori: Micro Commercial Components (MCC)
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.