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4915299Immagine ZXMC6A09DN8TA.Diodes Incorporated

ZXMC6A09DN8TA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    ZXMC6A09DN8TA
  • Costruttore / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    ZXMC6A09DN8TA.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    45 mOhm @ 8.2A, 10V
  • Potenza - Max
    1.8W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    ZXMC6A09DN8TADKR
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1407pF @ 40V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    24.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    60V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.9A, 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    3.9A, 3.7A

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